适用于 5G智能手机的下一代移动 NAND 闪存

最新遇见新（V7 NAND和新SoC）
SK海力士的NAND闪存产品线在经过验证的强大技术平台的支持下，在单芯片密度和可用容量配置方面不断发展。现在我们推出UD310（UFS3.1）和UD220（UFS2.2），这是一款基于我们最新的176层4D NAND构建的高容量和高性能移动存储，采用更小更薄的封装，以满足5G智能手机的严格要求。
UD310
全球首款采用 176 层 NAND 闪存的 UFS3.1
SK海力士的UFS3.1使世界上第一款采用V7 NAND闪存技术的智能手机成为可能。
节省空间的封装
UD310 的封装收缩至 11x13mm，Z 高度更低至 0.8mm，可舒适地安装在 5G 手机和各种移动设备中，同时加热更少，运行更节能。
逐代性能大幅提升
我们的 UFS3.1/UFS2.2 由 V7 NAND 提供支持，与 UFS3.0/UFS2.1 相比，实现了显著的性能改进。